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Q-開關(guān)

Q-Switches

Quantum Technology生產(chǎn)三種類型的普克爾斯盒,使用高質(zhì)量的無應(yīng)變的光電晶體材料:

1)系列-QS橫向電極(TE)BBO 晶體普克爾斯盒(200 nm - 1064 nm)高速、高平均功率切換。

2)系列-QC環(huán)電極(重新)KD * P晶體普克爾斯盒(300 nm - 1064 nm)低損耗腔內(nèi)切換。

3)系列-LN (TE型)鈮酸鋰晶體普克爾斯盒(800 nm - 2500 nm)Q-開關(guān)和調(diào)制。

1)系列-QS BBO Super-Switches低插入損耗,無共振操作,承受能力超過平均20千瓦/ cm2(CW)。AC四分之一波長的電壓3毫米孔徑是4.0 KV 在1064nm。腔外使用,兩個晶體模型QS-3-2建議4.0 KV的半波電壓。隨著波長降低,這個電壓線性下降。*的特點是它的極低電容小于2 pF,給快速上升時間在一個50歐姆阻抗系統(tǒng)中。偏硼酸鋇有高的損傷閾值。晶體面AR涂層是聚合物涂層和BBO放置在AR涂層窗口。模型QS-3是理想的Q-開關(guān)的高功率緊湊二極管泵浦固體激光器在亞納秒速度。

2)系列-QC普克爾斯盒利用晶體含重氫的兩個級別,95%的KD * P和99% 的KD * P。個類型是適合開關(guān)紅寶石激光器(典型的四分之一波長電壓2.2 KV)。第二種類型是有用的Nd:YAG激光器(典型的四分之一波長電壓3.2 KV)。這些行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)Q-開關(guān)在干或濕的版本是可用的。晶體是涂有聚合物涂層在干燥操作或index-matched低損耗在一個封裝與AR涂層窗口。QC-10是35毫米的直徑,長度是45 mms。兩個晶體設(shè)備,如QC-10-2可用在大多數(shù)模型為較低半波電壓操作。

3)系列-LN 普克爾斯盒內(nèi)腔式Q開關(guān)的孔徑9 mms(LN-9)和16 mms(LN-16)。模型LN-9需要DC切換1.5千伏的電壓在1064nm。其他模型LN-16需要切換2千伏的電壓在1064nm。這些都是干式AR涂層表面,AR 窗口。

4)模型QB-8是一個布魯斯特KD * P普克爾斯盒對低損耗和高光功率處理能力為8毫米激光束。這些和其他的修改可以在所有的模型來提高其效用。

5)模型MC-10 是一種阻抗匹配KD * P普克爾斯盒為皮秒光脈沖上升時間光學(xué)脈沖發(fā)生器在終止的在50歐姆(低VSWR)和由一個合適的高壓電源。MC模型僅在單晶版本可用。

6)模型LAP是一個50毫米大孔徑KD * P普克爾斯盒。

7)普克耳斯盒RTP晶體可用。

普克爾斯盒規(guī)格:

產(chǎn)品型號

材料

孔徑

對比度

V1/4 @ 1064nm

QS-3

BBO

3mm

2000:1

4.0 KV

QS-4

BBO

4mm

2000:1

5.4 KV

QC-8

KD*P

8mm

1000:1

3.4 KV

QC-10J

KD*P

10mm

1000:1

3.4 KV

QC-10

KD*P

10mm

1000:1

3.4 KV

QC-16

KD*P

16mm

1000:1

3.5 KV

QC-20

KD*P

20mm

750:1

3.6 KV

QC-24

KD*P

24mm

500:1

3.8 KV

LN-9

LINbO3

9mm

100:1

1.5 KV

LN-16

LINbO3

16mm

100:1

2.0 KV

QB-8

KD*P

8mm

1000:1

3.4 KV

MC-10

KD*P

10mm

1000:1

3.4 KV

LAP-50

KD*P

50mm

250:1

3.9 KV


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