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上海伯東代理進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 1000

參考價(jià) ￥ 420000
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上海伯東代理美國(guó)進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 1000, 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 特別適合中型真空系統(tǒng). 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.

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霍爾離子源 eH 1000

KRI 霍爾離子源 eH 1000
上海伯東代理美國(guó)進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 1000, 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 特別適合中型真空系統(tǒng). 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體

KRI 霍爾離子源 eH 1000 特性:
• 可拆卸陽(yáng)極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), zui大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽(yáng)極
• 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便; 無(wú)需水冷
• 等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 1000 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)

eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO

供電

DC magnetic confinement

  - 電壓

40-300V VDC

  - 離子源直徑

~ 5 cm

  - 陽(yáng)極結(jié)構(gòu)

模塊化

電源控制

eHx-30010A

配置

-

  - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

  - 離子束發(fā)散角度

> 45° (hwhm)

  - 陽(yáng)極

標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved

  - 水冷

前板水冷

  - 底座

移動(dòng)或快接法蘭

  - 高度

4.0'

  - 直徑

5.7'

  - 加工材料

金屬
電介質(zhì)
半導(dǎo)體

  - 工藝氣體

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安裝距離

10-36”

  - 自動(dòng)控制

控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH 1000 應(yīng)用領(lǐng)域:
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預(yù)清洗 Load lock preclean
• 預(yù)清洗 In-situ preclean
• Direct Deposition
• Surface Modification
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates

若您需要進(jìn)一步的了解 KRI 射頻離子源, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式

上海伯東: 羅先生




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