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KRi 大面積射頻離子源應(yīng)用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統(tǒng)

來源:伯東企業(yè)(上海)有限公司   2024年01月09日 11:09  

上海伯東美國 KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源  RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸 IBE  離子束蝕刻機(jī), 刻蝕均勻性(1 σ)達(dá)到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導(dǎo)體, 絕緣體, 超導(dǎo)體等.

離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其核心部件為大面積離子源. 作為蝕刻機(jī)的核心部件, KRi  射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求!  氣體通入離子源的放電室中,  電離產(chǎn)生均勻的等離子體, 由離子源的柵極將正離子引出并加速, 然后由中和器進(jìn)行中和. 利用引出的帶有一定動能的離子束流撞擊樣品表面, 通過物理濺射將材料去除, 進(jìn)而獲得刻蝕圖形. 這一過程屬于純物理過程, 一般運(yùn)行在較高的真空度下.

IBE 類型設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)主要是等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間, 通過柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨(dú)立控制; 其次 IBE 的晶圓載臺可以實(shí)現(xiàn)自轉(zhuǎn), 并通過角度調(diào)整, 實(shí)現(xiàn)傾斜入射.
KRi 射頻離子源典型應(yīng)用: 12英寸, 8英寸 IBE 離子束蝕刻系統(tǒng)

KRi 射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):

型號

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 陽極

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻
2kw & 1.9 ± 0.2 MHz

RF 射頻
2kw & 1.8 MHz

離子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射


流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直徑

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000

上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長
RFICP  系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源, 電子供應(yīng)器, 中和器, 電源控制等
RFICP  系列離子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均勻性,附著力等

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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