如果能夠?qū)崿F(xiàn)光學(xué)系統(tǒng)確整自動(dòng)化...
理學(xué)公司推出的Ultima IV產(chǎn)品，力求達(dá)到操作最簡(jiǎn)化，實(shí)現(xiàn)全部系統(tǒng)的自動(dòng)調(diào)整。
從X射線源到光學(xué)元件、測(cè)角儀、樣品臺(tái)以及檢測(cè)器等全部系統(tǒng)都可以自動(dòng)調(diào)整。
無論是裝機(jī)時(shí)的全部系統(tǒng)調(diào)試，還是日常進(jìn)行的樣品位置調(diào)整，使用理學(xué)公司推出的自動(dòng)調(diào)整程序大幅縮短簡(jiǎn)化了切換光學(xué)系統(tǒng)所需的時(shí)間和程序，為科研工作者提高效率作出貢獻(xiàn)。
(1) 調(diào)整X射線光源高度
(2) 調(diào)整X射線光源角度
(3) 調(diào)整CBO光學(xué)系統(tǒng)
(4) 調(diào)整入射單色器
(5) 調(diào)整入射狹縫高度
(6) 調(diào)整樣品表面位置
(7) 調(diào)整檢測(cè)器角度
當(dāng)自動(dòng)調(diào)整開始后，儀器會(huì)自動(dòng)將X射線源的高度、角度、CBO光學(xué)系統(tǒng)、入射單色器、狹縫高度、樣品表面位置及檢測(cè)器角度調(diào)整至狀態(tài)。
CBO、自動(dòng)調(diào)整及靈活的模式組合，適用于多種應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)方便快捷的光學(xué)系統(tǒng)切換。
CBO技術(shù)具有高度靈活性——應(yīng)用于所有粉末?多晶材料評(píng)價(jià)
應(yīng)用Bragg-Brentano聚焦光學(xué)系統(tǒng)，測(cè)試在理想狀態(tài)下粉碎后的粉末樣品時(shí)，可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)高分辨率和高X射線強(qiáng)度。
應(yīng)用平行光束光學(xué)系統(tǒng)，在測(cè)試塊狀樣品時(shí)，可以避免由于樣品表面凹凸不平或彎曲而產(chǎn)生的誤差。
這兩種光學(xué)系統(tǒng)通過CBO技術(shù)，不用進(jìn)行光學(xué)系統(tǒng)元件的更換，即可輕松選擇所需的光學(xué)系統(tǒng)。
粉末?多晶評(píng)價(jià)應(yīng)用例
| ·定性分析 ·定量分析
·結(jié)晶度 | ·晶粒大小及應(yīng)力分析
·晶格常數(shù)精修
·Rietveld 分析 |
使用Rietveld分析的定量分析，是Ultima IV通常使用的分析方法之一。左圖是針對(duì)ZnO、MgO、Al2O3混合粉末的定量分析示例。為了避免各成分的衍射譜峰重疊，使用了能夠進(jìn)行高分辨率測(cè)試的聚焦光學(xué)系統(tǒng)。
在樣品表面不平的情況下，可以一鍵選擇平行光束光學(xué)系統(tǒng)，避免了樣品表面形狀的影響，確保得到正確的測(cè)試數(shù)據(jù)。左圖為大粒子光催化劑的測(cè)試示例。應(yīng)用裝有CBO的Ultima IV儀器，可以觀測(cè)到正確的衍射譜峰位置。
由于裝配了 XYZ三軸自動(dòng)定位系統(tǒng)和樣品觀測(cè)CCD及微區(qū)附件，可以輕松進(jìn)行樣品表面的mapping測(cè)試。左圖為通過XYmapping功能和CBO的高強(qiáng)度平行光束光學(xué)系統(tǒng)組合，測(cè)試印刷底板上2個(gè)點(diǎn)的衍射譜圖。在計(jì)算機(jī)畫面上點(diǎn)擊需要測(cè)試的樣品表面圖象，可以輕松分析各部位的不同成分。
樣品位置自動(dòng)調(diào)整和In-Plane測(cè)試相組合——高分辨率的應(yīng)力?選擇取向測(cè)試簡(jiǎn)便化
使用Ultima IV的自動(dòng)調(diào)整裝置，可以簡(jiǎn)便進(jìn)行應(yīng)力及選擇取向的評(píng)價(jià)。
CBO和In-Plane測(cè)試裝置相組合，可以連續(xù)自動(dòng)切換觀測(cè)樣品深度方向構(gòu)造的Out off-Plane掃描和觀測(cè)樣品表面平行方向構(gòu)造的In-Plane掃描。
利用這種功能進(jìn)行In-Plane極圖測(cè)試，具有傳統(tǒng)方法所不具備的2個(gè)優(yōu)點(diǎn)。
進(jìn)行In-Plane極圖測(cè)試時(shí)，無論測(cè)試方向如何，通過利用全部線焦點(diǎn)的X射線源，能夠確保足夠的X射線強(qiáng)度和大面積的照射范圍，保證在短時(shí)間內(nèi)評(píng)價(jià)樣品內(nèi)的平均構(gòu)造。另外，在In-Plane極圖測(cè)試時(shí)，無需進(jìn)行透射測(cè)試，就可以得到反射測(cè)試即可得到極圖的全部數(shù)據(jù)。
應(yīng)力?選擇取向評(píng)價(jià)應(yīng)用
·通過Sin2ψ法進(jìn)行殘余應(yīng)力評(píng)價(jià)
·雙方向殘余應(yīng)力比較
·通過傳統(tǒng)極圖測(cè)試進(jìn)行選擇取向評(píng)價(jià)
·通過逆極圖分析進(jìn)行選擇取向評(píng)價(jià)
·通過透射極圖測(cè)試進(jìn)行選擇取向評(píng)價(jià)
·ODF分析
在進(jìn)行應(yīng)力評(píng)價(jià)測(cè)試時(shí)，保持一定的X射線照射位置和正確確定衍射譜峰位置非常重要。由于X射線的照射位置和衍射譜峰的位置受樣品放置的高低或傾斜度的影響，為了保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確，CBO及樣品位置自動(dòng)調(diào)整。左圖為利用Sin2屮法對(duì)不銹鋼螺釘表面殘余應(yīng)力進(jìn)行評(píng)價(jià)的示例。裝配CBO和自動(dòng)調(diào)整裝置組合的Ultima IV儀器可以簡(jiǎn)單測(cè)試不規(guī)則形狀的樣品并得到正確的分析結(jié)果。
In-Plane掃描在極圖測(cè)試中發(fā)揮著強(qiáng)大的威力。在此示例中，通過In-Plane法，可以得到Cu(100)面的極圖結(jié)構(gòu)。為了得到α=0°~90°的極圖結(jié)構(gòu)，無需專門進(jìn)行點(diǎn)焦點(diǎn)轉(zhuǎn)換或更換透射法專用附件。
CBO和無需變更系統(tǒng)的In-Plane掃描——實(shí)現(xiàn)的薄膜評(píng)價(jià)系統(tǒng)
薄膜材料評(píng)價(jià)中，多層膜結(jié)構(gòu)的反射率分析及樣品表面垂直方向的結(jié)構(gòu)分析的Out Off-Plane掃描和深度方向晶體結(jié)構(gòu)變化及進(jìn)行樣品表面平行方向的結(jié)構(gòu)分析的In-Plane掃描兩者都需要。使用Ultima IV儀器，無需更換附件及光學(xué)系統(tǒng)，僅裝上樣品，即可簡(jiǎn)單切換這兩種測(cè)試方法。
如果使用理學(xué)的In-Plane測(cè)試用的測(cè)角儀（），即使是厚度為1nm的極薄膜的反射率測(cè)試或衍射測(cè)試，也不需要特別的儀器構(gòu)成或復(fù)雜的調(diào)整。In-Plane測(cè)試，與傳統(tǒng)的非對(duì)稱反射測(cè)試不同，與樣品表面平行方向的選擇取向及晶格常數(shù)效果可以直接通過測(cè)試數(shù)據(jù)反映出來。與傳統(tǒng)方法相比，測(cè)試結(jié)果的評(píng)價(jià)更直觀更簡(jiǎn)便。
薄膜評(píng)價(jià)應(yīng)用
| ?定性分析 ?薄膜評(píng)價(jià)應(yīng)用 ?結(jié)晶性評(píng)價(jià) ?殘余應(yīng)力評(píng)價(jià) | ?膜厚評(píng)價(jià) ?表面/界面粗糙度評(píng)價(jià) ?密度評(píng)價(jià) |
利用微小X射線入射角度進(jìn)行薄膜材料評(píng)價(jià)時(shí)，為了高效觀測(cè)作為分析對(duì)象的薄膜發(fā)出的信號(hào)，不僅需要調(diào)小入射角度，精確控制X射線與樣品表面的入射角度也很重要。左圖為玻璃底板上光催化劑薄膜的測(cè)試示例。通過圖例可以得知，通常2θ/θ測(cè)試幾乎無法觀測(cè)到的從薄膜層發(fā)出的衍射譜峰，通過能夠精密控制射向樣品表面的X射線入射角度的微小入射角測(cè)試，可以清楚進(jìn)行觀測(cè)。利用CBO和樣品位置自動(dòng)調(diào)整裝置，僅需選擇薄膜測(cè)試所的平行光束，就可以精密控制X射線的入射角度。
通過Out Off-Plane掃描和In-Plane掃描組合，可以簡(jiǎn)單得到傳統(tǒng)的極點(diǎn)測(cè)試和非對(duì)稱測(cè)試方法所無法得知的薄膜材料的選擇取向情報(bào)。左圖為硅基板上的Pentacene薄膜50nm的測(cè)試示例。通過In-Plane掃描觀測(cè)（HK0 )面的衍射譜峰，Out Off-Plane掃描觀測(cè)（00L )面的衍射譜峰，可以得知Pentacene c軸取向及面內(nèi)沒有強(qiáng)取向。
X射線反射率測(cè)試，廣泛應(yīng)用于薄膜的膜厚、密度、表面及界面粗糙度的評(píng)價(jià)。在X射線反射率測(cè)試時(shí)，不僅需要利用平行光束，精密調(diào)整樣品的位置及角度也很重要。通過CBO和樣品位置自動(dòng)調(diào)整裝置，在粉末測(cè)試間歇，簡(jiǎn)單切換光學(xué)系統(tǒng)即可進(jìn)行X射線反射率測(cè)試。左圖為GaAs基板上的InGaAs、GaAs及表面氧化膜的反射率測(cè)試結(jié)果和模擬結(jié)果示例。
薄膜材料評(píng)價(jià)
利用極圖測(cè)試，可以分析薄膜材料選擇取向的情況及基板和薄膜的晶體方位關(guān)系。左圖為單晶MgO基板上的Pt及PLT (Pb、La) TiCb薄膜的In-Plane極圖測(cè)試示例。可以通過測(cè)試結(jié)果發(fā)現(xiàn)，受基板方位影響的Pt層和PLT層的方位吻合完好，另外表面?zhèn)鹊腜LT層比Pt層的選擇取向程度低。另外，通過無需透射法裝置的In-Plane極圖測(cè)試，對(duì)于X射線無法透過的基板上的薄膜材料，也可以得到極圖全部數(shù)據(jù)。
在進(jìn)行薄膜材料結(jié)晶性及方位評(píng)價(jià)的X射線衍射測(cè)試方法中，倒易點(diǎn)陣mapping測(cè)試中，衍射倒易點(diǎn)陣點(diǎn)的位置及形狀，通過倒易點(diǎn)陣mapping可得知Pentacene薄膜的結(jié)晶結(jié)構(gòu)、結(jié)晶性、晶格緩和程度及晶體方位等信息。左圖為通過In-Plane方向的倒易點(diǎn)陣mapping測(cè)試，得到與樣品表面平行方向的晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶性及晶體方位信息的示例。
利用CBO可以簡(jiǎn)單選擇人工多層膜鏡，通過裝載使用這一特性的平行光束和利用自動(dòng)調(diào)整裝置自動(dòng)調(diào)整至狀態(tài)的高分辨率單色器，可以輕松進(jìn)行高分辨率測(cè)試。左圖為Si基板上的SiGe的高分辨率搖擺曲線的測(cè)試示例。可以看出，不僅精確分離基板和薄膜的衍射譜峰，而且可以觀測(cè)到衍射強(qiáng)度的振動(dòng)。通過分析搖擺曲線，可以進(jìn)行薄膜層組成比和膜厚評(píng)價(jià)。
理學(xué)公司新開發(fā)的In-situ附件——可以在特殊條件下測(cè)試
在各種應(yīng)用材料的研究開發(fā)中，很多測(cè)試需要在特殊條件下進(jìn)行。
為了使各種特殊條件下的X射線測(cè)試簡(jiǎn)單化，
理學(xué)公司為UItima IV儀器設(shè)計(jì)開發(fā)了In-situ附件。
世界無二的產(chǎn)品化X射線衍射?DSC (差示掃描量熱儀）
包括同時(shí)測(cè)試（XRD/DSC同時(shí)測(cè)試），應(yīng)用于各領(lǐng)域的特殊條件分析。
特殊條件下的結(jié)構(gòu)評(píng)價(jià)應(yīng)用
?高溫條件下的結(jié)構(gòu)評(píng)價(jià)
?低溫條件下的結(jié)構(gòu)評(píng)價(jià)
?濕度條件下的結(jié)構(gòu)評(píng)價(jià) | ?反應(yīng)性氣體中的結(jié)構(gòu)評(píng)價(jià) ?晶體結(jié)構(gòu)相轉(zhuǎn)移DSC同時(shí)評(píng)價(jià) |
通過溫度變化后的X射線圖表，能夠在與實(shí)際環(huán)境非常相近的狀態(tài)下進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)評(píng)價(jià)。左圖為CBO選擇聚焦法光學(xué)系統(tǒng)和高速檢測(cè)器D/teX Ultira的組合，隨著溫度上升，高速測(cè)試CaCO3轉(zhuǎn)變成CaO過程的示例。通過測(cè)試結(jié)果可以得知，約800°C開始發(fā)生相轉(zhuǎn)移。
XRD/DSC同時(shí)測(cè)試是UItima IV的In-situ測(cè)試功能。為了保證觀察正確的結(jié)構(gòu)變化過程時(shí)不受樣品量及升溫速度的影響，將相同樣品放置在相同溫度變化條件下，觀察X射線衍射圖表的變化和DSC曲線的測(cè)試工作非常重要。左圖為關(guān)于KNO3粉末的X射線衍射圖表和同時(shí)測(cè)試的DSC曲線顯示。可以同時(shí)觀測(cè)KNO3三維晶體結(jié)構(gòu)的可逆變化過程及相伴隨的吸熱量、散熱量等。
XRD/DSC同時(shí)測(cè)試不僅用于溫度，也適用于濕度條件。通過一邊同時(shí)控制溫度和濕度一邊進(jìn)行X射線衍射測(cè)試，可以觀察由于溫度濕度影響而產(chǎn)生的結(jié)晶結(jié)構(gòu)變化。左圖為保證一定濕度，海藻糖粉末樣品在溫度從50°C~275°C的變化過程中，X射線衍射圖表的變化和DSC曲線的測(cè)試示例。可以觀察到伴隨溫度上升，海藻糖從水合物到無水合物及非晶質(zhì)的變化過程。
利用CBO和自動(dòng)調(diào)整裝置，僅添加附件即可對(duì)應(yīng)納米材料的小角散射測(cè)試示例
小角散射納米材料評(píng)價(jià)應(yīng)用
?液體中納米粒子的粒徑分布評(píng)價(jià)
?薄膜?塊狀樣品中納米粒子的粒徑分布評(píng)價(jià)
?蛋白及大分子的外形評(píng)價(jià)
?納米級(jí)密度云分布及形態(tài)評(píng)價(jià)
利用液體中的納米粒子進(jìn)行透射法小角散射分析是納米粒子的粒徑分布及形狀評(píng)價(jià)的重要方法之一。在當(dāng)今世界所有納米級(jí)材料開發(fā)領(lǐng)域，科研人員關(guān)注如何正確并短時(shí)間內(nèi)評(píng)價(jià)納米粒子的粒徑及形狀。通過在Ultima IV上裝載CBO,可以輕松將傳統(tǒng)的粉末X射線衍射測(cè)試用光學(xué)系統(tǒng)轉(zhuǎn)換為小角散射測(cè)試用光學(xué)系統(tǒng)。在同一臺(tái)儀器上，就可以同時(shí)應(yīng)用兩種測(cè)試方法。
左上圖為金屬納米粒子的小角散射譜圖的測(cè)試結(jié)果和利用理學(xué)的粒徑分析軟件NANO-Solver模擬的通過2個(gè)不同的粒徑分布得到的小角散射譜圖。如左圖所示，利用NANO-Solver得到的粒徑分布結(jié)果和通過TEM觀察得到的粒徑分布結(jié)果一致。通過這一示例，可以得知通過Ultima IV的X射線小角散射測(cè)試功能和NANO-Solver組合，可以輕松進(jìn)行納米粒子的粒徑評(píng)價(jià)。
通過CBO和薄膜測(cè)試用的樣品位置自動(dòng)調(diào)整裝置組合，不僅可以進(jìn)行透射法小角散射分析，還可以進(jìn)行基板上薄膜的反射小角測(cè)試。左圖為硅基板上Ni納米粒子含量約100nm的碳薄膜測(cè)試示例。實(shí)測(cè)的小角散射譜圖和通過NANO-Solver模擬的結(jié)果相同，通過測(cè)試可以得知Ni納米粒子的尺寸在2~10nm范圍內(nèi)。
粉末X射線衍射綜合分析軟件PDXL
綜合檢索匹配功能——提高定性分析能力
“綜合檢索匹配功能”集譜峰定性和譜圖定性的優(yōu)點(diǎn)于一身，大幅提高定性分析能力。以前難以進(jìn)行的選擇取向的結(jié)晶相同定、復(fù)雜的晶格變形后結(jié)晶相同定等問題都迎軔而解。
利用Rietveld法——簡(jiǎn)化定量分析過程
迄今為止，利用x射線衍射法進(jìn)行定量分析時(shí)，需要在樣品中混合標(biāo)準(zhǔn)樣品進(jìn)行測(cè)試，根據(jù)其結(jié)果作成校正曲線經(jīng)過定量過程。如果利用Rietveld法，無需制作校正曲線，能夠簡(jiǎn)單進(jìn)行定量分析。一般認(rèn)為Rietveld法是一種高難度的分析方法，PDXL軟件為使用者準(zhǔn)備了簡(jiǎn)易操作界面。
自動(dòng)解析——大幅縮短操作時(shí)間
復(fù)數(shù)數(shù)據(jù)在相同條件下可以自動(dòng)解析。可以簡(jiǎn)單進(jìn)行比較在不同條件下合成的樣品及由于測(cè)試溫度變化等原因得到的各種分析結(jié)果。另外，各種分析結(jié)果的報(bào)告及保存都可以自動(dòng)進(jìn)行。
PDXL(基本組合）
基本數(shù)據(jù)處理
使用PDXL，僅需讀取測(cè)試數(shù)據(jù)，通過全自動(dòng)圖象擬合，即可迅速得到半高寬、積分強(qiáng)度、晶粒大小（Scherrer法）等詳細(xì)的處理結(jié)果。
還可以手動(dòng)進(jìn)行平滑、扣背景、去除Kα2等多種處理。
另外，還可以進(jìn)行使用數(shù)據(jù)庫(kù)的RIR定量分析。
PDXL定性分析
綜合檢索匹配
使用理學(xué)公司的綜合檢索匹配功能，定性分析更加完善。充分發(fā)揮能夠檢測(cè)出復(fù)雜的晶格變形的譜峰定性分析的特長(zhǎng)，難以同定的固溶相也可以簡(jiǎn)單進(jìn)行定性分析。
另外，由于使用分離的譜峰強(qiáng)度可以判斷選擇取向的有無，實(shí)現(xiàn)了目前譜圖定性分析所的靈活定性分析。
PDXL定量分析
外標(biāo)法、內(nèi)標(biāo)法、標(biāo)準(zhǔn)添加法
應(yīng)用校正曲線法，特定相的定量分析可以簡(jiǎn)單快速的進(jìn)行。應(yīng)用校正曲線法，定量分析為工程管理提供方便。
PDXL應(yīng)用分析
晶粒大小和晶格應(yīng)力、晶格常數(shù)精修、結(jié)晶度、應(yīng)力、標(biāo)注指數(shù)使用PDXL,由于在讀取測(cè)試數(shù)據(jù)的同時(shí)自動(dòng)進(jìn)行譜峰分離，通過譜峰分離得到的正確角度、幅寬、積分強(qiáng)度等信息，可以在瞬間得到各種應(yīng)用分析結(jié)果。
有助于物性的間接評(píng)價(jià)及相似樣品的比較。
PDXL Rietveld
Rietveld分析更加方便
迄今為止，Rietveld分析給大家的印象是“難度大”、“需要豐富的經(jīng)驗(yàn)”……
使用濃縮理學(xué)技術(shù)精華的PDXL，誰都可以輕松進(jìn)行Rietveld分析。
比如，從數(shù)據(jù)庫(kù)取得晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)、設(shè)定分析條件、顯示晶體結(jié)構(gòu)、顯示定量分析結(jié)果等都可以通過設(shè)定好的界面簡(jiǎn)單操作。
實(shí)現(xiàn)組合處理
由于具有自動(dòng)分析、自動(dòng)作成專業(yè)報(bào)告功能，大幅縮短了操作時(shí)間
采用程序條形式，從數(shù)據(jù)分析到報(bào)告作成及分析結(jié)果的保存，都可以全部處理。
通過圖、表顯示，由于可以將復(fù)數(shù)的數(shù)據(jù)分析結(jié)果總結(jié)后閱覽，可以輕松進(jìn)行比較不同條件下合成的樣品及由于測(cè)試溫度變化而產(chǎn)生的各種分析結(jié)果。另外，由于具有專業(yè)報(bào)告制作功能，可以自由設(shè)定報(bào)告的格式。
應(yīng)用程序
PDXL
| 基本
| PDXL
| 平滑、扣背景、去除Kα2、尋峰、多峰分離、晶粒大小（Scherrer法）、多重記錄、任務(wù)宏、ICDD存儲(chǔ)、文件歷史記錄和小圖標(biāo)、多種報(bào)告作成、2θ校正、d-l清單的圖形模擬、3D多重顯示、ICSD存儲(chǔ)、晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù) (CIF) 的輸入輸出、3D晶體結(jié)構(gòu)顯示、RIR 定量
|
選件
| PDXL 定性 | 綜合檢索匹配
|
| PDXL定量 | 內(nèi)標(biāo)法、外標(biāo)法、標(biāo)準(zhǔn)添加法 |
| PDXL應(yīng)用分析 | 晶粒大小和晶格應(yīng)力（Williamson-Hal丨法）、晶格常數(shù)精修、結(jié)晶度、應(yīng)力、晶系和晶格常數(shù)的確定 |
| PDXLRietveld | 通過Rietveld計(jì)算晶格常數(shù)?定量值?晶粒大小和晶格應(yīng)力 |
D/teX Ultra新型高速X射線檢測(cè)器
固定靶系統(tǒng)能夠進(jìn)行微量成分及微區(qū)測(cè)試！
實(shí)現(xiàn)令人驚嘆的高速測(cè)試！
使用的半導(dǎo)體元件和的電子技術(shù)
D/teX Ultra是使用半導(dǎo)體元件的高速1維X射線檢測(cè)器，與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體高速1維X射線檢測(cè)器相比，發(fā)揮著更加優(yōu)良的性能。
令人驚嘆的超高速和能量分辨率
與傳統(tǒng)機(jī)型相比，X射線檢測(cè)器的速度及強(qiáng)度提高100多倍。另外，能量分辨率，可以抑制用Cu射線源測(cè)試鐵系樣品時(shí)出現(xiàn)的背景上升。
的速度和靈敏度
可以在幾分鐘內(nèi)測(cè)試廣角粉末X射線譜圖。另外，即使是極微量的成分也可以檢測(cè)到。
無需線點(diǎn)切換
由于同時(shí)使用新開發(fā)的微區(qū)測(cè)試光學(xué)系統(tǒng)和CBO-f，無需進(jìn)行X射線管的線焦點(diǎn)和點(diǎn)焦點(diǎn)切換。可以迅速進(jìn)行微區(qū)測(cè)試。
更廣泛的應(yīng)用
發(fā)揮高速檢測(cè)器的特長(zhǎng)，可以進(jìn)行由于樣品氛圍氣（溫度、濕度、XRD-DSC同時(shí)測(cè)試等）的變化而發(fā)生的相轉(zhuǎn)移的觀察及in-situ測(cè)試等。
應(yīng)用
工藝品的彩釉、顏料、印泥分析
-可進(jìn)行1mm以下的微區(qū)分析-
圖1為彩繪陶器的紅色、綠色及底色的0.5 - 1mm部分的測(cè)試結(jié)果，可見紅色和綠色的釉子組成成分不同。圖2為朱紅色~紅色的礦物顏料、水溶顏料、高級(jí)印泥的測(cè)試結(jié)果比較，即使1mm以下的范圍內(nèi)，也可以清楚區(qū)分不同顏料的區(qū)別。
