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Sinton離線晶片少子壽命測試儀 WCT-120

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WCT儀器展示Sinton的測量和分析技術,包括半標準準穩態光電導系數(QSSPC)測量方法,該方法由Sinton公司在1994年研發。載流子合復壽命經過準確校準的測量方式,廣泛應用于太陽能單晶和多晶硅片。

詳細信息 在線詢價

的瞬態光電導技術

QSSPC技術對于監測多晶硅硅片,摻雜劑的擴散,和低壽命樣本是理想的技術。這種方法補充了瞬態光電導技術的運用。瞬態光電導技術在這臺設備上也是標準的。

QSSPC壽命測量

QSSPC壽命測量也產生隱含的開路電壓(與lllumination)曲線,這可以與an1-v曲線在太陽能電池過程的各個階段進行比較。

優秀的軟件數據處理系統

Sinton設備的分析能為每個晶片產生校準載流子注入水平,所以你可以以一個物理上的方式解讀壽命數據。每次測量都會顯示和記錄特定的參數。

WCT系統功能

單擊即可鎖定晶硅片的關鍵參數,包括方塊電阻、少子壽命、陷阱密度、發射極飽和電流密度和暗電壓

?制造過程的逐步監測和優化

?監測初始材料質量

?晶片加工過程中檢測重金屬雜質

?評估表面鈍化和發射極摻雜擴散

?使用隱含V測量評估過程引起的分流

項目 內容
測量參數 少子壽命、電阻率、發射極飽和電流密度、陷阱濃度、標準太陽下Voc
壽命測量范圍 100nm-10ms
測量(分析)模式 QSSPC,瞬態和歸一化壽命分析
電阻率測量范圍 3-600(未摻雜)Ohms/sq
可得到的偏壓范圍 0-50suns
可得到的光譜 白光和紅外光
感應范圍 直徑40mm
樣品尺寸,標準配置 標準直徑:40-230mm
硅片厚度范圍 10-2000um


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