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KJ NdGaO3單晶
KJ LSAT晶體基
KJ LiNbO3晶體
KJ LiAlO2晶體
KJ InSb晶體基
KJ Ge晶體基片
合肥科晶提供A-Z系列晶體
產品名稱:
磷化鎵(GaP)晶體基片
技術參數:
晶體結構:
立方 a =5.4505 Å
生長方法:
提拉法
密度:
4.13 g/cm3
熔點:
1480 oC
熱膨脹系數:
5.3 x10-6 / oC
摻雜物質:
摻S 不摻雜
方向:
<111>or<100> <100>or<111>
類型:
N N
熱傳導率:
2~8 x1017/cm3 4~ 6 x1016/cm3
電阻率W.cm
~0.03 ~0.3
EPD (cm-2 )
< 3x105 < 3x105
產品規格:
晶體方向:<111>,<100>±0.5o ;
常規尺寸:dia2"x0.35mm ;dia2"x0.43mm;dia3"x0.3mm ;
標準包裝:
1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝
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