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KJ InSb晶體基片

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合肥科晶提供A-Z系列晶體

詳細信息 在線詢價

產品名稱：

銻化銦(InSb)晶體基片

產品簡介：

 

技術參數：

單晶：

InSb

摻雜：

None;Te;Ge

導電類型：

N;N;P

載流子濃度cm-3  

1-5x1014   1-2x1015    

位錯密度cm-2   

<2x102

 

產品規格：

標準尺寸：dia2"x0.5mm;

表面粗糙度Ra:<15A

注：可按客戶需求定制特殊的方向和尺寸。

 

標準包裝：

1000級超凈室100級超凈袋或單片盒封裝

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