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KJ Ge晶體基片

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合肥科晶提供A-Z系列晶體

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產(chǎn)品名稱

Ge晶體基片

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

化學(xué)符號(hào)為Ge ,主要用途有:制作半導(dǎo)體器件、紅外光學(xué)器件及太陽(yáng)能電池襯底等材料。

產(chǎn)品參數(shù)

 

 

 

 

晶體結(jié)構(gòu):

立方:a = 5.6754 Å

生長(zhǎng)方法:

提拉法;

密度:

5.765 g/cm3 ;

熔點(diǎn):

 937.4 

熱傳導(dǎo)性:

640;

摻雜物質(zhì):

不摻雜;摻Sb;摻InGa

類型:

l/NP

電阻率W.cm

>35;0.050.05-0.1

EPD:

 < 4x103/cm2   < 4x103/cm2   < 4x103/cm2

 

產(chǎn)品規(guī)格:

  晶體方向:<111>,<100> and <110>±0.5° 或者特殊方向

 

  標(biāo)準(zhǔn)尺寸:dia1"x0.5mm and dia2"x0.5mm and dia4"x0.5mm

 

  表面拋光:細(xì)磨、單拋、雙拋

 

  晶體粗糙度:<100>和<111> Ra<5A,(<110> Ra<5A,不化拋

 

  可根據(jù)客戶要求提供特殊尺寸和方向的基片

標(biāo)準(zhǔn)包裝

 

1000級(jí)超凈室,100級(jí)超凈袋或單片盒封裝

 

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