膜厚測量裝置UTS-2000
▼概要
膜厚測定裝置UTS-2000采用的分光分析技術，可以非接觸，非破壞高速而且高精度的測量基板膜，基板厚，雕刻殘余等的膜厚。 另外，使用標配的自動樣品臺可以分析電子元件內的膜厚分布。另外，有豐富的配件，測量擴散層之類的基板和膜界面不明朗膜厚的波長擴張組件，測量Si中雜質輕元素含量的透過測量系統，分析濃度的數據解析軟件等，也可以對應膜厚測量之外的測量。另外，可以與自動搬送裝置組合，對應產品研發到評價廣泛的需求。
◆特征
?可測量0.25～750μm的測量大范圍的膜厚（基板厚）
?采用高精度干渉計和高通量光學系統、可測量高準確度的膜厚數據。
?測量膜厚的必須條件?映射?膜厚計算的個條件可以作為菜單登陸管理
?可長波長擴張。可對應除去大氣噪音的真空裝置
?可測量Si 中的雜質輕元素、以及電子元件的透過測量
?對應自動搬送裝置（配件）


◆測量原理
膜厚測量裝置通過解析紅外區域的干涉光譜，非破壞?非接觸、高速而且高準確度計測膜厚。 通過計測可得到膜厚的周期干涉光譜。 干涉光譜由日本分光*的周波數解析法轉變為*的公式通過峰值高準確度的算出膜厚。

◆高計測再現性
下圖表示硅晶膜反復計測結果。反復計測10次的值如下、±0.001μm以下、 膜厚測量裝置具有很高的計測再現性。