產品介紹紅外輻照器外形圖紅外輻照器模塊組成圖MIRAD輻照器的設計思路整合了三個模塊(MTB中溫的黑體，VAB光機輻射衰減器和三個TP透射管），三個模塊組合一起，從而在管道出口幾十毫米下的晶圓面接收到均勻、光強可調節的MWIR/LWIR輻照
紅外輻照器外形圖 紅外輻照器模塊組成圖
MIRAD輻照器的設計思路整合了三個模塊(MTB中溫的黑體，VAB光機輻射衰減器和三個TP透射管），三個模塊組合一起，從而在管道出口幾十毫米下的晶圓面接收到均勻、光強可調節的MWIR/LWIR輻照。
? MIRAD的設計針對半導體行業進行了優化。與典型黑體相比，MTB黑體的熱發射明顯降低。對通過VAB衰減器的空氣進行了過濾。TP透射管內的光學元件保護半導體晶圓不受來自MTB黑體高溫發射端涂層掉落粒子的污染。
產品參數
參數 | 描述 |
總體參數 | |
TP3 管到被測sensor的距離 | 28 mm (可定制) |
晶圓表面的寬波段輻照度 | 至少8 mW/cm2 (詳見測試報告) |
被測sensor面積 | 直徑60mm |
建議測量區域大小 | 不超過直徑 40mm |
輻照度不均勻性 | < ±2% ，直徑30 mm范圍內 < ±3% ，直徑 50 mm范圍內 < ±5% ，直徑 60 mm范圍內 |
輻射波段 | 0.7µm 到 30 µm |
發射光譜 | 類似于所設置的黑體溫度對應Planck光譜 |
黑體參數 | |
黑體溫度范圍 | 50°C 到550°C 建議 ≤ 500°C |
黑體輻射面積 | 直徑 120 mm |
黑體輻射有效面積 | 直徑 90 mm |
調整分辨率 | 10mK |
時間穩定性 | 不超過50 mK |
控制方式 | USB接口，PC控制 |
VAB 衰減器 | |
透過率范圍 | 0% 到 99% |
調制分辨率 | 不少于 0.1% |
潔凈空氣過濾器 | 有 |
控制方式 | USB接口，PC控制 |
TP1/TP2/TP3 管 | |
尺寸 | IP750 成像測試機定制尺寸 |
設計 | 管內有擋板，集成光學鏡片和整形部件 |
透過率 | 1 µm 到30 µm范圍內均勻透過 |
其他參數 | |
工作溫度 | +5oC到 35oC |
儲存溫度 | -5oC到 55oC |
工作濕度 | 不超過75% |
儲存濕度 | 不超過50% |
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