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返回產(chǎn)品中心>日立 超高分辨場發(fā)射掃描電子顯微鏡 SU8600系列
參考價 | 面議 |
- 公司名稱 思耐達精密儀器(上海)有限公司
- 品牌
- 型號
- 所在地 上海市
- 廠商性質 其他
- 更新時間 2024/5/28 16:04:40
- 訪問次數(shù) 69
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產(chǎn)品介紹 隨著快速數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)處理技術的發(fā)展,電子顯微鏡進入了一個不僅重視數(shù)據(jù)質量,而且重視其采集過程的時代。SU8600系列秉承了Regulus8200系列的高質量圖像、大束流分析及長時間穩(wěn)定運行的冷場成像技術,同時還大大提升了高通量、自動數(shù)據(jù)獲取能力。
產(chǎn)品介紹:
隨著快速數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)處理技術的發(fā)展,電子顯微鏡進入了一個不僅重視數(shù)據(jù)質量,而且重視其采集過程的時代。SU8600系列秉承了Regulus8200系列的高質量圖像、大束流分析及長時間穩(wěn)定運行的冷場成像技術,同時還大大提升了高通量、自動數(shù)據(jù)獲取能力。
* 設備照片包含選配項
產(chǎn)品特點:
超高分辨成像
日立的高亮度電子源可保證了即使在超低著陸電壓下,也可獲得超高分辨的圖像。
0.8 kV電壓條件下觀察RHO型沸石的實例。左圖為顆粒整體的形貌,右圖為放大圖像,顆粒表面細微的臺階結構清晰可見。低電壓觀察對于減少電子束損傷和獲取表面形狀信息較為有效。
高襯度的低加速電壓背散射圖像
3D NAND截面觀察;
在低加速電壓條件下,背散射電子信號能夠明顯的顯示出氧化硅層和氮化硅層的襯度差別。
3D NAND截面觀察(加速電壓:1.5kV)
快速BSE圖像:新型閃爍體背散射電子探測器(OCD)*
由于使用了新型的OCD探測器,即使掃描時間不到1秒,也仍然可以觀察到Fin-FET清晰的深層結構圖像。
5納米制程SRAM的內部結構觀察 (加速電壓:30kV,掃描時間<1秒)
的自動化功能*
EM Flow Creator 允許客戶創(chuàng)建連續(xù)圖像采集的自動化工作流程。EM Flow Creator將不同的SEM功能定義為圖形化的模塊,如設置放大倍率、移動樣品位置、調節(jié)焦距和明暗對比度等。用戶可以通過簡單的鼠標拖拽,將這些模塊按邏輯順序組成一個工作程序。經(jīng)過調試和確認后,該程序便可以在每次調用時自動獲得高質量、重現(xiàn)性好的圖像數(shù)據(jù)。
靈活的用戶界面
原生支持雙顯示器,提供靈活、高效的操作空間。6通道同時顯示與保存,實現(xiàn)快速的多信號觀測與采集。
1,2,4 或6通道信號可在同一個顯示器上同時顯示,可切換內容包括SEM各探測器以及樣品室相機和導航相機。可以通過使用兩個顯示器來擴展工作空間,可定制的用戶界面以提高工作效率。
產(chǎn)品規(guī)格:
機型 | SU8600系列 | |
電子光學系統(tǒng) | 二次電子像分辨率 | 0.6 nm@15 kV |
0.7 nm@1 kV * | ||
放大倍率 | 20 to 2,000,000 x | |
電子槍 | 冷場發(fā)射電子源,支持柔性閃爍功能,包含陽極烘烤系統(tǒng)。 | |
加速電壓 | 0.5 to 30 kV | |
著陸電壓 * | 0.01 to 20 kV | |
探測器 | (部分為選配項) | 上探測器(UD) |
UD ExB能量過濾器,包含SE/BSE信號混合功能 | ||
下探測器(LD) | ||
頂探測器(TD) | ||
TD能量過濾器 | ||
鏡筒內背散射電子探測器(IMD) | ||
半導體式背散射電子探測器 (PD-BSED) | ||
新型閃爍體式背散射電子探測器(OCD) | ||
陰極熒光探測器(CLD) | ||
掃描透射探測器(STEM Detector) | ||
附件 | (部分為選配項) | 導航相機、樣品室相機、X射線能譜儀(EDS)、背散射電子衍射探測器(EBSD) |
軟件 | (部分為選配項) | EM Flow Creater、HD Capture( 40,960×30,720 像素) |
樣品臺 | 馬達驅動軸 | 5軸馬達驅動(X/Y/R/Z/T) |
馬達驅動軸 | X:0~110 mm | |
Y:0~110 mm | ||
Z:1.5~40 mm | ||
T:-5~70° | ||
R:360° | ||
樣品室 | 樣品尺寸 | 直徑:150mm |
* 減速模式下
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