1. 搭載兩種透鏡模式的高性能SEM鏡筒HR模式下可實現高分辨觀察（半內透鏡）FF模式下可實現高精度加工終點檢測（Timesharing Mode）2. 高通量加工可通過高電流密度FIB實現快速加工（束流100nA）用戶可根據自身需求設定加工步驟3. Micro Sampling System*3運用ACE技術（加工位置調整）抑制Curtaining效應控制離子束的入射角度，制備厚度均勻的薄膜樣品4. 實現低損傷加工的Triple Beam ...
HR模式下可實現高分辨觀察（半內透鏡）
FF模式下可實現高精度加工終點檢測（Timesharing Mode）
可通過高電流密度FIB實現快速加工（束流100nA）
用戶可根據自身需求設定加工步驟
運用ACE技術（加工位置調整）抑制Curtaining效應
控制離子束的入射角度，制備厚度均勻的薄膜樣品
采用低加速（Ar/Xe）離子束，實現低損傷加工
去除鎵污染
多接口樣品倉（大小接口）
超大防振樣品臺（150 mm□）
*3
選配
| 項目 | 內容 | |
|---|---|---|
| FIB | 二次電子像分辨率（C.P） | 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV |
| 加速電壓 | 0.5 kV – 30 kV | |
| 探針電流范圍 | 0.05 pA – 100 nA | |
| 離子源 | GA液體金屬離子源 | |
| SEM | 二次電子像分辨率（C.P） | 1.5 nm @ 1 kV、0.7 nm @ 15 kV |
| 加速電壓 | 0.1 kV – 30 kV | |
| 探針電流范圍 | 5 pA – 10 nA | |
| 電子槍 | 冷場場發射電子槍 | |
| 標準探測器 | In-Column二次電子探測器 SE（U） In-Column背散射電子探測器 BSE（U） In-Column背散射電子探測器 BSE（L） Chamber二次電子探測器 SE（L） | |
| 驅動范圍 （5軸反饋控制） | X | 155 mm |
| Y | 155 mm | |
| Z | 16.5 mm | |
| R | 0 - 360° 旋轉 | |
| T | -10～59° | |
| 樣品尺寸 | 直徑 150 mm | |
| 選配 | Ar/Xe離子束系統 Micro Sampling System 氣體注入系統（雙室或三室貯氣筒）
連續自動加工軟件 連續A-TEM2 各種樣品桿 EDS（能譜儀） EBSD（電子背散射衍射） | |
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