型號

IMC200

型號

PULSION

應用

設備主要用于半導體微電子襯底材料摻雜，在晶圓上注入B、P、As等元素，并且具備升級注入Al、H、N、He、Ar等其他元素功能

優勢

ü3D浸沒式離子注入，不受形狀、大小、表面狀態限制

ü可靠性高，氣體消耗量低，易于維護，成本低；

ü的脈沖等離子體配置和偏振技術，所需能量低，電流輸入輸出能力高，工藝穩定性高，可以實現保形處理；

ü能夠以較小的占地面積處理大型部件；

ü工藝時間短：工藝時間與待注入的機械部件的大小無關，即使要求的注入量非常高；

ü可按照用戶要求定制；

ü有全自動、工程和手動模式，工程和手動模式下可人為控制單步驟工藝；

ü工藝recipe可編輯，工藝參數可監測、控制和記錄，可查看報警歷史。

注入晶圓尺寸

6英寸，兼容5、4、3、2英寸，不規則小片，最小可注入1 cm2的樣品。

原理

把要處理的部件放在真空室中的夾具上，并浸入待注入離子電離形成的高密度等離子體中。當夾具在脈沖電壓模式下被偏置到負電壓時，開始注入。

注入能量范圍

單價離子30KeV～200KeV，可升級二價/三價離子注入，注入能量可升級到400 KeV/600 KeV。

應用

ü改善表面機械性能，減少磨損、摩擦力和金屬疲勞；

ü提高表面耐腐蝕、耐化學、耐高溫性能；

ü改變表面理化性能如表面能、粘附性等；

ü提高生物相容性；

ü逸出功工程；

ü用于高級存儲器和硅基光電學的納米沉淀和納米結構；

ü加氫（Hydrogenation），吸氣（gettering）。

注入角度

0°、7°，可通過手動更換夾具的方式來改變注入角度。

加速電壓

1 kV ~ 10 kV

注入劑量范圍

1×10¹¹ at/cm² ～ 1×10¹⁸ at/cm²

標準注入電流

5 mA ~ 100 mA (N₂)

注入均勻性

ü4”片內、片間1σ ≤ 1.0 % （注入條件：4英寸硅片，1000 ?氧化層，11B，注入能量100KeV，注入劑量1×10¹⁴ at/cm2.）；

ü6”片內、片間1σ ≤ 1.0 %（注入條件：6英寸硅片，1000 ?氧化層，11B，注入能量100KeV，注入劑量1×10¹⁴ at/cm2）

標準注入時間

30 min ~ 3 h

真空度

ü離子源：≥ 2×10^-6 mbar（2 x10-4 Pa）；

ü束流管：≥ 7×10^-7 mbar（7x10-5 Pa）；

ü 靶室：≥ 7×10^-7 mbar（7x10-5Pa）；

ü離子源真空系統初真空泵為化學干泵，高真空泵為渦輪分子泵；束流管及終端真空系統初真空泵為干泵，高真空泵為冷泵。

可注入選項

N, C, O, Ar, H, He, F, Ge, Si...

注入束流

ü¹¹B單價離子：≥ 600µA；

ü ³¹P單價離子：≥ 1500µA；

ü⁷⁵As單價離子：≥ 1500µA。

（注入條件：6”晶圓，注入能量120KeV～200KeV）。

注入部件尺寸

≤ 400 mm×400 mm×200 mm

離子源氣路系統

包含5路氣體：BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有氣路系統都集成在機器里面，能實時監控離子源氣體消耗以及具備氣瓶終點探測技術。

輻射

在任意外部屏蔽點10 cm處< 0.6 μSv/h

軟件功能

包括但不限于：權限管理、參數管理、手動控制、實時數據、數據記錄、報警管理等。軟件可根據需求免費更新升級。

注入劑量范圍

1E¹⁴ at/cm2 ~1E¹⁸ at/cm2

腔室氣壓

< 5×10^-6 mbar

設備尺寸

1.6×2.15×2.3m（標準型）；2.15×2.15×2.3m（加大型）

輻射

在任意外部屏蔽點10 cm處< 0.6 μSv/h

注入劑量范圍

1E¹⁴ at/cm2 ~1E¹⁸ at/cm2

離子輻射滿足國際相應標準，具有CE認證。