應用介紹: 主要應用于化合物半導體,金屬電極,互聯線是用金屬剝離工藝,使光刻膠呈現倒梯形形貌,正常采用負膠工藝實現,因負膠有一定工藝難度和局部缺陷,例如分辨率不高,線寬均一性不好,倒梯形角度不穩定等因素。行業內大多采用氨氣條件反轉工藝,使用酚醛樹脂基的正膠,正膠曝光后會產生羧酸,氨氣中和酸,再進行一次全面曝光,顯影后就可以形成倒梯形形貌,同時又保留正膠的分辨率和線寬穩定性。
技術參數:
型號 | NH3D4 |
內膽尺寸 | 450*450*450mm; |
真空度 | 150Pa;采用真空泵; |
加熱方式 | 腔體外側四周加熱; |
溫度 | RT+10℃~ 200℃;微電腦溫度控制器,控溫精確可靠; |
控溫精度 | ±2%℃(150℃內); |
氨氣反轉工藝 | 升溫達到設定值-抽真空-達到設定值-充氨氣-取產品-取后曝光機反面曝光。 |
主要特點 | 箱門閉合松緊能調節,整體成型的硅橡膠門封圈,確保箱內高真空度。工作室采用不銹鋼板制成,電解拋光,確保產品經久耐用。 |
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